什么是短波红外发光二极管（SWIR LED）？
短波红外发光二极管（SWIR LED）是一种发射短波红外光的发光二极管，其波长范围通常在1050-1750纳米之间。SWIR LED采用砷化铟镓（InGaAs）半导体材料制成，由于其发射波长超出硅探测器的截止波长（约1100纳米），因此需要使用InGaAs相机传感器进行检测。
我的应用应该使用哪种波长的短波红外LED？
选择波长取决于目标的吸收特性。用于水分检测：1450 nm（水吸收峰）。用于人眼安全的户外传感：1550 nm（高于1400 nm玻璃吸收阈值）。用于油和塑料分拣：1650 nm（CH键吸收）。用于透过硅或雾进行机器视觉检测：1050-1200 nm。用于多光谱成像：将多个波长组合成阵列。
短波红外LED和近红外LED有什么区别？
近红外 (NIR) LED 的发射波长为 750-1000 纳米，由硅基相机和光电二极管检测。短波红外 (SWIR) LED 的发射波长为 1050-1700 纳米，需要使用 InGaAs 传感器。SWIR LED 可以揭示硅基系统无法获取的信息：通过吸收光谱特征分析材料成分、检测含水量、检测碳氢化合物以及进行雾中成像。
短波红外LED灯对眼睛安全吗？
波长高于约 1400 nm 的短波红外 (SWIR) 光（例如 1450、1550、1650、1750 nm）在到达视网膜之前会被眼内的玻璃体液强烈吸收，从而具有固有的眼部安全优势。因此，1550 nm 是眼部安全工业传感和汽车激光雷达的标准波长。波长低于 1400 nm（1050、1200 nm）的 SWIR LED 不具备此优势，需要根据具体应用进行 IEC 60825-1 激光/LED 安全分类认证。
我可以使用普通的CMOS或CCD相机搭配SWIR LED吗？
不。硅基图像传感器（CMOS、CCD）在波长超过约1000纳米后灵敏度会降低，到1100纳米时则基本失效。短波红外LED需要InGaAs或扩展InGaAs传感器进行探测。这是短波红外系统设计中最大的成本驱动因素：InGaAs相机的成本通常是同等硅基相机的10到50倍。
为什么短波红外LED比近红外LED更贵？
短波红外（SWIR）LED采用InGaAs半导体材料，这种材料制造难度更高，电光转换效率更低，产量也低于短波长LED常用的InGaN（紫外/可见光）或GaAs（近红外）材料。工业级SWIR LED的每毫瓦光输出成本通常是同等可见光LED的10到100倍。随着SWIR成像应用商业需求的增长，批量生产的价格会有所改善。
短波红外LED的典型寿命是多久？
工业级短波红外LED在符合热学和电气规范的条件下工作时，其70%输出功率寿命（L70）为10,000至30,000小时。寿命对结温非常敏感；降低驱动电流并增加散热片可以显著延长使用寿命。脉冲工作（低占空比）也能通过降低平均结温来延长寿命。
如何设计多光谱短波红外成像系统？
四个相互关联的组件：(1) 根据目标光谱特征选择波长集；(2) 匹配短波红外 (SWIR) LED 和 InGaAs 相机的光谱响应；(3) 使用 SWIR 透明光学元件（石英、蓝宝石、SWIR 级玻璃、硅和标准聚合物均不适用）；(4) 通过每通道电流调节驱动 LED，并将脉冲与相机曝光同步。对于批量生产而言，从 SWIR LED 组件供应商处定制多光谱阵列模块通常比使用单个发射器更具成本效益。
什么是多光谱短波红外LED系统？
多光谱短波红外LED系统将1050至1750纳米之间的两个或多个离散短波红外波长集成于一个照明器中，并与InGaAs相机配合使用，从而能够在一次检测中读取多个吸收特征。每个波长针对特定的特征（例如，1450纳米用于水，1650纳米用于碳氢化合物），捕获的波段强度可用于区分在可见光下看起来相同的材料。有关阵列架构和驱动方面的注意事项，请参阅上文“多光谱LED阵列”部分。
是否有适用于波长范围为 1050 至 1750 纳米的短波红外 LED 的元件选型指南？
是的。首先确定目标吸收特性，从而确定中心波长（见上图光谱表），然后按照七步组件选择清单进行操作：波长区间、光谱带宽、辐射输出和辐照度、光束角度和均匀性、封装和散热路径、驱动方案以及探测器和光学器件的匹配。这一系列步骤可以将应用转化为覆盖整个 1050 至 1750 nm 波段的可构建的短波红外 (SWIR) LED 规格。