SWIR（短波红外）LED 芯片的材质主要属于 III-V 族化合物半导体。
根据不同的目标波长（通常在 1000nm 至 2500nm 之间），常用的核心材质包括：
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- 銦鎵砷 (InGaAs, Indium Gallium Arsenide)：这是最主流的 SWIR 材料。通过调整銦和镓的组分比例，可以覆盖大部分短波红外波段（如 1050nm-1700nm）。
- 磷化銦 (InP, Indium Phosphide)：通常作为外延生长的衬底材质，也可用于制作高性能的倒装芯片结构。
- 砷化鎵 (GaAs, Gallium Arsenide)：常用于波长较短的近红外或作为外延结构的底层支撑。
- 銻化鎵 (GaSb, Gallium Antimonide)：当需要探测或发射更长波段（如 2000nm 以上）的红外光时，会使用这种材质。
这些材料之所以被选中，是因为它们的带隙（Bandgap）正好对应短波红外光子的能量，而传统的硅（Si）基材料在该波段基本是透明且无法有效工作的。
我们专注于制造和供应覆盖紫外至短波红外（SWIR）波段的高效、高可靠性LED封装。我们的核心优势在于提供波长、芯片尺寸及极性高度多样化的SWIR LED产品组合，这使我们能够精准匹配并定制各类近红外应用方案。此外，针对有严苛规格要求的客户，我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务，确保产品性能的一致性与可靠性。
合益短波红外线(SWIR)LED的发射波长范围在1000至2500纳米之间。这些短波红外发光二极管特别适用于机器视觉领域，因为它们对人眼不可见，并能够揭示物体材料特性的信息。某些波长还具有其他独特特性，例如在玻璃或大气中的低吸收率。短波红外发光二极管 (SWIR LED) 也应用于安防或医疗领域。